新聞資訊
News電阻式日本共和應變片按材質可分為金屬和半導體兩類
更新時間：2018-12-21 點擊次數：3218次
力學傳感器的種類繁多，如日本共和應變片壓力變送器、半導體應變片壓力變送器、壓阻式壓力變送器、電感式壓力變送器、電容式壓力變送器、諧振式壓力變送器及電容式加速度傳感器等。但應用為廣泛的是壓阻式壓力變送器，它具有極低的價格和較高的精度以及較好的線性特性。下面我們主要介紹這類傳感器。
在了解壓阻式壓力變送器時，我們首先認識一下電阻應變片這種元件。日本共和應變片 是一種將被測件上的應變變化轉換成為一種電信號的敏感器件。它是壓阻式應變變送器的主要組成部分之一。電阻應變片應用多的是金屬電阻應變片和半導體應變片兩種。金屬電阻應變片又有絲狀應變片和金屬箔狀應變片兩種。通常是將應變片通過特殊的粘和劑緊密的粘合在產生力學應變基體上，當基體受力發生應力變化時，電阻應變片也一起產生形變，使應變片的阻值發生改變，從而使加在電阻上的電壓發生變化。這種應變片在受力時產生的阻值變化通常較小，一般這種應變片都組成應變電橋，并通過后續的儀表放大器進行放大，再傳輸給處理電路（通常是A/D轉換和CPU）顯示或執行機構。
電阻式日本共和應變片的種類一般分為兩類：
一、一般金屬應變片
一般金屬日本共和應變片 分為金屬絲式、箔式、薄膜式三種。壓力變送器金屬絲式應變片有紙基、腔基兩種，由F該糞應變片受拉伸時蠕變較大容易斷裂、脫膠，使絕緣萑底和蓋層分離，所以有被其他兩種庖變片取代的趨勢。但幽制作簡單、價格便宜，日前仍廣泛用于低測量精度應力、應變測量場合。
金屬箔式應變片采用光刻、腐蝕T藝，在粘貼于絕緣基底的薄盒屬fi-上制成箔式電阻嗍柵。由于與基底的接觸面機較』=。所以在受拉伸時不易脫膠。散熱條件好，可通過較大電流。蠕變較小、一致性好易J‘大批量牛產。I：1前廣泛用f應變式傳感器制造r。
薄膜式應變片采用真空蒸鍍技術，在絕緣基屬上蒸鍍層薄金屬材料制成薄膜電阻，然后用覆蓋層加以保護。它與基地的接觸面積大，性能優J‘其他應變電阻。
二、半導體應變片
半導體日本共和應變片 采用鍺、硅半導體材料。利用光刻、腐蝕或壓膜工藝，壓力變送器在基底P制成應變敏堪柵，然后用覆蓋層加以保護，如罔14—4所爪。
半導體應變片的優點足應變系數較大．分辨率高。但由于半導體材料性質決定了它與應變之間的非線性，所以溫漂大、一致性也差。在使用時應增加溫度樸償、零點漂移抑制以廈其他非線性補償措施。
在網14—4中，N型硅和P型鍺兩種半導體在受拉伸時，阻值變化互異，可構成取臂半嬌，即可產生溫度自補效應又可降低非線性影響。
在了解壓阻式壓力變送器時，我們首先認識一下電阻應變片這種元件。日本共和應變片 是一種將被測件上的應變變化轉換成為一種電信號的敏感器件。它是壓阻式應變變送器的主要組成部分之一。電阻應變片應用多的是金屬電阻應變片和半導體應變片兩種。金屬電阻應變片又有絲狀應變片和金屬箔狀應變片兩種。通常是將應變片通過特殊的粘和劑緊密的粘合在產生力學應變基體上，當基體受力發生應力變化時，電阻應變片也一起產生形變，使應變片的阻值發生改變，從而使加在電阻上的電壓發生變化。這種應變片在受力時產生的阻值變化通常較小，一般這種應變片都組成應變電橋，并通過后續的儀表放大器進行放大，再傳輸給處理電路（通常是A/D轉換和CPU）顯示或執行機構。
電阻式日本共和應變片的種類一般分為兩類：
一、一般金屬應變片
一般金屬日本共和應變片 分為金屬絲式、箔式、薄膜式三種。壓力變送器金屬絲式應變片有紙基、腔基兩種，由F該糞應變片受拉伸時蠕變較大容易斷裂、脫膠，使絕緣萑底和蓋層分離，所以有被其他兩種庖變片取代的趨勢。但幽制作簡單、價格便宜，日前仍廣泛用于低測量精度應力、應變測量場合。
金屬箔式應變片采用光刻、腐蝕T藝，在粘貼于絕緣基底的薄盒屬fi-上制成箔式電阻嗍柵。由于與基底的接觸面機較』=。所以在受拉伸時不易脫膠。散熱條件好，可通過較大電流。蠕變較小、一致性好易J‘大批量牛產。I：1前廣泛用f應變式傳感器制造r。
薄膜式應變片采用真空蒸鍍技術，在絕緣基屬上蒸鍍層薄金屬材料制成薄膜電阻，然后用覆蓋層加以保護。它與基地的接觸面積大，性能優J‘其他應變電阻。
二、半導體應變片
半導體日本共和應變片 采用鍺、硅半導體材料。利用光刻、腐蝕或壓膜工藝，壓力變送器在基底P制成應變敏堪柵，然后用覆蓋層加以保護，如罔14—4所爪。
半導體應變片的優點足應變系數較大．分辨率高。但由于半導體材料性質決定了它與應變之間的非線性，所以溫漂大、一致性也差。在使用時應增加溫度樸償、零點漂移抑制以廈其他非線性補償措施。
在網14—4中，N型硅和P型鍺兩種半導體在受拉伸時，阻值變化互異，可構成取臂半嬌，即可產生溫度自補效應又可降低非線性影響。
